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| 项目成果名称： |
氧化锌体单晶生长技术 |
| 关键字： |
氧化锌体单晶生长技术 |
| 所有权人： |
杭州经济技术开发区产学研合作中心 |
邮箱： |
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| 联系人： |
虞向群 |
联系电话： |
86911950 |
| 传真： |
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邮编： |
310018 |
| 通讯地址： |
杭州经济技术开发区银都商厦405 |
| 完成时间： |
2010-7-12 |
标的金额： |
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| 发布时间： |
2010-7-12 14:42:41 |
合作方式： |
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| 成 果 详 细 信 息 |
| 实物图片： |
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| 成果介绍： |
成果简介：本成果提供一种氧化锌体单晶生长技术。作为第三代半导体的核心基础材料之一的ZnO晶体既是一种宽禁带半导体，又是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院半导体研究所的科研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶材料的新型技术方法-化学气相传输法（CVT法），而且采用CVT法已生长出了直径32毫米和直径45毫米，4毫米厚的ZnO单晶。
这项技术的突破对于提供价格低、质量好的ZnO单晶衬底材料，满足研制新型蓝光、紫外光器件的需求具有重要的意义。
应用前景：ZnO单晶作为一种宽带半导体材料具有许多应用潜力，如制作高效率兰色、紫外发光和探测器、新型大功率微波器件等。
合作方式：技术转让或技术入股
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| 技术难题 |
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| 资源共享 |
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| 下载专区 |
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